分享似8形状的电感器的制造方法

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似8形状的电感器的制造方法
本公开的各个方面提供包括第一电感器的设备。第一电感器包括具有定义第一封闭区域的多于一个匝的第一线圈部分以及具有定义第二封闭区域的多于一个匝的第二线圈部分。第一线圈部分和第二线圈部分被布置成生成具有基本上相等的强度和相反的方向的磁场。
似8形状的电感器
[0001 ] 通过参考的并入
[0002]本公开要求2014年I月17日提交的“Pseudo-8-shaped Inductor”的美国临时申请第61/928,787号的权益,其全部内容通过引用并入于此。

[0003]本文中提供的“”描述出于一般性地呈现本公开的上下文的目的。就“”部分所描述的程度而言,本申请的发明人的工作以及在递交时可能尚未限定为现有技术的各方面描述既不明示也不暗示地被承认为针对本申请的现有技术。
[0004]电感器用在各种电路中。在示例中,基于LC储能电路的压控振荡器包括耦合在一起以形成LC储能电路的电感器和电容器。在另一示例中,开关调节器包括要充当能量存储元件的电感器。



[0005]本公开的各个方面提供了一种包括第一电感器的设备。第一电感器包括具有定义第一封闭区域的多于一个匝的第一线圈部分以及具有定义第二封闭区域的多于一个匝的第二线圈部分。第一线圈部分和第二线圈部分被布置成生成具有基本上相等的强度和相反的方向的磁场。
[0006]在实施例中,第一线圈部分和第二线圈部分以形成数字8形状的扭转布置串联连接。在示例中,第一线圈部分形成第一差动电感器并且第二线圈部分形成第二差动电感器。在另一示例中,第一线圈部分形成单端螺旋电感器并且第二线圈部分形成第二单端螺旋电感器。
[0007]在实施例中,第一电感器还包括:具有定义第三封闭区域的多于一个匝的第三线圈部分以及具有定义第四封闭区域的多于一个匝的第四线圈部分。第一线圈部分和第二线圈部分在第一方向上以形成第一数字8形状的扭转布置串联连接,第二线圈部分和第三线圈部分在第二方向上以形成第二数字8形状的扭转布置串联连接,第三线圈部分和第四线圈部分在第一方向上以形成第三数字8形状的扭转布置串联连接,并且第四线圈部分和第一线圈部分在第二方向上以形成第四数字8形状的扭转布置串联连接。
[0008]根据本公开的一方面,第一电感器从第一封闭区域到第二封闭区域具有连接第一线圈部分和第二线圈部分的单个导线。
[0009]在实施例中,第一电感器形成变压器中的第一绕组,并且设备包括形成变压器中的第二绕组的第二电感器。第二电感器包括:在第一封闭区域中与第一线圈部分并联的第三线圈部分以及在第二封闭区域中与第二线圈部分并联的第四线圈部分。在示例中,第一线圈部分、第二线圈部分、第三线圈部分和第四线圈部分中的大部分形成在集成电路(IC)芯片的金属层中。在另一示例中,第一线圈部分和第二线圈部分中的大部分形成在集成电路(IC)芯片的第一金属层中并且第三线圈部分和第四线圈部分中的大部分形成在IC芯片的第二金属层中。
[0010]本公开的各个方面提供了一种集成电路(IC)芯片,其具有形成在IC芯片的衬底上的片上电感器。电感器包括具有定义第一封闭区域的多于一个匝的第一线圈部分以及具有定义第二封闭区域的多于一个匝的第二线圈部分。第一线圈部分和第二线圈部分被布置成生成具有基本上相等的强度和相反的方向的磁场。
[0011]本公开的各个方面提供一种形成电感器的方法。方法包括在衬底上形成电感器的第一线圈部分。第一线圈部分具有定义第一封闭区域的多于一个匝。另外,方法包括在衬底上形成电感器的第二线圈部分。第二线圈部分具有定义第二封闭区域的多于一个匝。然后,方法包括以形成数字8形状的扭转布置连接第一线圈部分和第二线圈部分。

[0012]将详细参考以下附图来描述被提出作为示例的本公开的各种实施例,在附图中,相似的附图标记指代相似的元件,并且在附图中:
[0013]图1示出了根据本公开的实施例的电子设备100的框图;
[0014]图2A-2B示出了根据本公开的实施例的电感器230的示图;
[0015]图3A-3B示出了根据本公开的实施例的另一电感器330的示图;
[0016]图4示出了根据本公开的实施例的另一电感器430的示图;
[0017]图5示出了根据本公开的实施例的变压器530的示图;以及
[0018]图6示出了根据本公开的实施例的另一变压器630的示图。

[0019]图1示出了根据本公开的实施例的电子设备100的框图。电子设备100包括一个或多个电感部件,诸如电感器、变压器等。电感部件中的至少一个电感部件(诸如图1的示例中的电感器130)包括形成为似数字8形状的导电绕组。例如,电感器130包括具有定义第一封闭区域的多于一个匝的第一线圈部分140,并且包括具有定义第二封闭区域的多于一个匝的第二线圈部分150。第一线圈部分140和第二线圈部分150以形成数字8形状的扭转布置连接,使得第一线圈部分140和第二线圈部分150生成具有相反方向的磁场。
[0020]在图1的示例中,似数字8形状用于指代形成单个数字8形状的多个线圈匝,以与形成数字8形状的每个线圈匝区分。在示例中,电感器130的实现方式节省了面积,改善了电感器130的质量(Q)因子和自谐振频率,并且减小了对其他电路部件的干扰。
[0021]电子设备100可以是包括一个或多个电感部件的任意合适的设备,诸如台式电脑、膝上电脑、平板电脑、智能电话、网络交换机、接入点、路由器、机顶盒、电视机等。
[0022]根据本公开的一方面,电子设备100包括集成电路(IC)芯片110,并且电感器130与其他电路部件集成在IC芯片110上。在示例中,IC芯片110包括作为基于LC储能电路的压控振荡器(V⑶)120的VC0。电感器130以及一个或多个电容器(未示出)耦合在一起以在VCO120中形成LC储能电路。
[0023]根据本公开的一方面,与具有多个数字8形状的线圈匝的相关电感器相比,具有似数字8形状的绕组的电感器130具有绕组的较少交叉。相关电感器的绕组每个附加线圈匝添加两个附加交叉。电感器130的绕组的交叉的数目减少,这简化了布局的复杂性,并且因此电感器130可以使用相对较小的硅面积来实现。另外,在实施例中,电感器130的绕组的大部分在第一金属层中实现,并且绕组中的交叉在第二金属层中实现,第二金属层通过通孔连接与第一金属层相连接。通孔连接向绕组添加电阻。在示例中,第二金属层具有高于第一金属层的表面电阻(sheet resistance)。当绕组中的交叉的数目减小时,通孔连接的数目减小,并且第二金属层中的金属线的长度减小,因此绕组的电阻减小。绕组中的电阻减小改善了电感器130的Q因子。
[0024]另外,根据本公开的一方面,由于第一线圈部分140与第二线圈部分150之间的扭转,电感器130与其他电感部件之间的电感器耦合减小。在示例中,当电流在电感器130中流动时,第一线圈部分140和第二线圈部分150生成具有相反方向的磁场。因此,当电感器130是另一电感部件的干扰方(aggressor)时,由第一线圈部分140生成的磁场和由第二线圈部分150生成的磁场在两者中另一电感部件处彼此完全或部分抵消,并且因此电感器130对其他电感部件的干扰减小。
[0025]当电感器130是另一电感部件的被干扰方(victim)时,由另一电感部件生成的磁场在第一线圈部分140和第二线圈部分150中在相反的方向上引起内部电流。电感器130中的内部电流被抵消。因此,另一电感部件对电感器130的干扰减小,并且电感器130具有改善的Q因子。
[0026]根据本公开的一方面,电感器耦合恶化了各种电路性能。在示例中,当IC芯片110包括分别基于两个电感器来生成两个不同的振荡频率的两个VCO时,两个电感器的电感器耦合可以引起本地振荡器(LO)推挽,LO推挽将振荡频率从期望频率平移。在另一示例中,当放大器在不同的放大级使用多个电感器时,电感器耦合引起放大级之间的反馈,这恶化了放大器性能。在另一示例中,IC芯片110包括彼此独立的多个放大器。电感器耦合可以在独立的放大器之间引起串扰,这恶化了放大器性能。
[0027]具有似数字8形状的绕组的电感器130减小了电感器130与其他电感部件之间的电感器耦合,并且从而改善了电路性能。
[0028]图2A-2B示出了根据本公开的实施例的电感器230的示图。电感器230包括第一线圈部分240和第二线圈部分250。第一线圈部分240包括形成第一差动电感器的线圈匝,并且第二线圈部分250包括形成第二差动电感器的线圈匝。第一线圈部分240和第二线圈部分250以形成似数字8形状的扭转布置串联连接。
[0029]在图2A和2B中,第一线圈部分240和第二线圈部分250 二者具有3个线圈匝。第一线圈部分240和第二线圈部分250中的每个具有2个内部交叉,如通过交叉281-282和283-284示出的。第一线圈部分240和第二线圈部分250在没有使用交叉的情况下连接。因此,电感器230的绕组总共具有4个交叉281-284,并且每个交叉需要交叉一个线圈线路。在具有数字8形状的线圈匝的相关电感器示例中,对于3个线圈匝需要5或6个交叉,并且每个交叉可能需要交叉3个或更多个线圈线路。电感器230的绕组的交叉的数目减少,这简化了布局的复杂性,并且因此电感器230可以使用相对较小的硅面积来实现。另外,在实施例中,电感器230的绕组的大部分在第一金属层(诸如铜层)中实现,并且绕组中的交叉在第二金属层(诸如作为铝层(AP)的最上部金属层)中实现,第二金属层通过通孔连接与第一金属层相连接。通孔连接向绕组添加电阻。当绕组中的交叉的数目减少时,通孔连接的数目减少。另外,在示例中,第一金属层具有小于第二金属层的表面电阻,并且每个交叉使用第二金属层中的短且宽的金属线来实现以交叉线圈线路。第二金属层中短且宽的金属线的使用进一步减小绕组电阻。绕组中的电阻的减小改善了电感器230的Q因子。
[0030]另外,根据本公开的一方面,差动电感器中的每个被配置成单端电感器。电感器230与相关电感器示例相比寄生电容减小。在示例中,由于寄生电容减小,电感器230的自谐振频率高于具有数字8形状的线圈匝的相关电感器示例。
[0031]图2A示出了根据本公开的实施例的当电感器230是对被干扰方电感部件(未示出)而言的干扰方电感器时的电流和磁场。当电流在电感器230中流动时,由于第一线圈部分240与第二线圈部分250之间的扭转,电流在第一线圈部分240与第二线圈部分250中在相反的方向上流动。在图2A的示例中,电流如245A所示在第一线圈部分240中沿着逆时针方向流动,并且生成如246A所示的指向页面外的方向的第一磁场;并且电流如255A所示在第二线圈部分250中沿着顺时针方向流动,并且生成如256A所示的指向页面内的方向的第二磁场。第一磁场和第二磁场具有相反的方向。当第一线圈部分240和第二线圈部分250具有基本上相同的形状和大小时,第一磁场和第二磁场具有大约相同的强度但是不同的方向。因此,第一磁场和第二磁场抵消彼此的对被干扰方电感部件的影响,并且对被干扰方电感部件几乎没有引起干扰。
[0032]图2B示出了根据本公开的实施例的当电感器230是对干扰方电感部件(未示出)而言的被干扰方电感器时的电流和磁场。另一电感部件生成可以引起电感器230中的电流的磁场。在图2B的示例中,第一线圈部分240中的磁场被示出为246B,并且可以引起如245B所不的在第一线圈部分240中流动的第一电流。第二线圈部分250中的磁场被不出为256B,并且可以引起如255B所示的在第二线圈部分250中流动的第二电流。由于第一线圈部分240和第二线圈部分250之间的扭转,第一电流和第二电流彼此抵消,从而由于干扰方电感部件生成的磁场而没有电流在电感器230中流动。
[0033]图3A-3B示出了根据本公开的实施例的另一电感器的示图。电感器330包括第一线圈部分340和第二线圈部分350。第一线圈部分340包括形成第一螺旋电感器的线圈匝,并且第二线圈部分350包括形成第二螺旋电感器的线圈匝。第一线圈部分340和第二线圈部分350以形成似数字8形状的扭转布置串联连接。
[0034]在图3A和3B中,第一线圈部分340和第二线圈部分350 二者具有3个线圈匝,并且电感器330的绕组具有一个交叉381。在具有数字8形状的线圈匝的相关电感器示例中,需要5或6个交叉。电感器330的绕组具有单个交叉,这简化了布局的复杂性,并且因此电感器330可以使用相对较小的硅面积来实现。另外,在实施例中,电感器330的绕组的大部分在第一金属层(诸如铜层)中实现,并且绕组中的交叉在第二金属层(诸如作为铝层(AP)的最上部金属层)中实现,第二金属层通过通孔连接与第一金属层连接。通孔连接向绕组添加电阻。当绕组中的交叉的数目减少时,通孔连接的数目减少,因此绕组的电阻减小。另外,在示例中,使用更宽的AP金属线以进一步减小电阻。绕组中的电阻的减小改善了电感器330的Q因子。
[0035]另外,根据本公开的一方面,螺旋电感器是单端电感器,因此电感器330的寄生电容与相关电感器示例相比减小。在示例中,由于寄生电容减小,电感器330的自谐振频率高于相关电感器示例。
[0036]图3A示出了根据本公开的实施例的当电感器330是对被干扰方电感部件(未示出)而言的干扰方电感器时的电流和磁场。当电流在电感器330中流动时,由于第一线圈部分340与第二线圈部分350之间的扭转,电流在第一线圈部分340与第二线圈部分350中在相反的方向上流动。在图3A的示例中,电流如345A所示在第一线圈部分340中沿着逆时针方向流动,并且生成如346A所示指向页面外的方向的第一磁场;并且电流如355A所示在第二线圈部分350中沿着顺时针方向流动,并且生成如356A所示的指向页面内的方向的第二磁场。第一磁场和第二磁场具有相反的方向。当第一线圈部分340和第二线圈部分350具有基本上相同的形状和大小时,第一磁场和第二磁场具有大约相同的强度但是不同的方向。因此,第一磁场和第二磁场抵消彼此的对被干扰方电感部件的影响,并且对被干扰方电感部件几乎没有引起干扰。
[0037]图3B示出了根据本公开的实施例的当电感器330是对干扰方电感部件(未示出)而言的被干扰方电感器时的电流和磁场。干扰方电感部件生成可以引起电感器330中的电流的磁场。在图3B的示例中,第一线圈部分340中的磁场被示出为346B,并且可以引起如345B所不的在第一线圈部分340中流动的第一电流。第二线圈部分350中的磁场被不出为356B,并且可以引起如355B所示的在第二线圈部分350中流动的第二电流。由于第一线圈部分340和第二线圈部分350之间的扭转,第一电流和第二电流彼此抵消,从而由于干扰方电感部件生成的磁场而没有电流在电感器330中流动。
[0038]图4示出了根据本公开的实施例的另一电感器430的示图。电感器430包括第一线圈部分440、第二线圈部分450、第三线圈部分460和第四线圈部分470。第一线圈部分440包括形成第一螺旋电感器的线圈匝,第二线圈部分450包括形成第二螺旋电感器的线圈匝,第三线圈部分460包括形成第三螺旋电感器的线圈匝,第四线圈部分470包括形成第四螺旋电感器的线圈匝。第一线圈部分440和第二线圈部分450在第一方向(诸如X方向)上以形成似数字8形状的扭转布置串联连接,第二线圈部分450和第三线圈部分460在第二方向(诸如Y方向)上以形成似数字8形状的扭转布置串联连接,第三线圈部分460和第四线圈部分470在第一方向上以形成似数字8形状的扭转布置串联连接,并且第四线圈部分470和第一线圈部分440在第二方向上以形成似数字8形状的扭转布置串联连接。
[0039]在图4的示例中,线圈部分440-470中的每个具有两个线圈匝,并且电感器430的绕组具有两个交叉481和482。电感器430的绕组简化了布局的复杂性,并且因此电感器430可以使用相对较小的硅面积来实现。另外,在实施例中,电感器430的绕组的大部分在第一金属层(诸如铜金属层)中实现,并且绕组中的交叉在第二金属层(诸如作为铝层(AP)的最上部金属层)中实现,第二金属层通过通孔连接与第一金属层连接。通孔连接向绕组添加电阻。当绕组中的交叉的数目减少时,通孔连接的数目减少,因此绕组的电阻减小。另外,在示例中,使用较宽的AP金属线以进一步减小电阻。绕组中的电阻的减小改善了电感器430的Q因子。
[0040]另外,根据本公开的一方面,螺旋电感器是单端电感器,因此电感器430的寄生电容与相关电感器示例相比减小。在示例中,由于寄生电容减小,电感器430的自谐振频率高于相关电感器示例。
[0041]在图4的示例中,电感器430的绕组在X方向和Y方向二者上形成数字8形状。类似于图3A中的分析,当电感器430是对被干扰方电感部件而言的干扰方电感器时,由绕组部分440-470生成的磁场在X方向和Y方向二者上抵消,并且在X方向和Y方向中的任何方向上对被干扰方电感部件几乎没有引起干扰。类似于图3B中的分析,当电感器430是对干扰方电感部件而言的被干扰方电感器时,由于形成数字8形状的扭转,在绕组部分440-470中生成的电流彼此抵消。因此,由于干扰方电感部件生成的磁场而没有电流在电感器430中流动。
[0042]图5示出了根据本公开的实施例的变压器530的图。变压器530包括具有第一线圈部分540和第二线圈部分550的第一绕组以及具有第三线圈部分560和第四线圈部分570的第二绕组。第一线圈部分540包括形成第一螺旋电感器的线圈匝,第二线圈部分550包括形成第二螺旋电感器的线圈匝。第一线圈部分540和第二线圈部分550以形成似数字8形状的扭转布置串联连接。第三线圈部分560包括形成第三螺旋电感器的线圈匝,第四线圈部分570包括形成第四螺旋电感器的线圈匝。第三线圈部分560和第四线圈部分570以形成似数字8形状的扭转布置串联连接。
[0043]在图5的示例中,变压器530是1:1变压器,其中第一绕组和第二绕组具有大约相同的面积大小和相同数目的线圈匝。具体地,第一线圈部分540和第三线圈部分560中的线圈匝被交织成并联,并且第二线圈部分550和第四线圈部分570中的线圈匝被交织成并联。
[0044]在图5的示例中,变压器530的绕组具有两个交叉581和582,这简化了布局的复杂性,并且因此变压器530可以使用相对较小的硅面积来实现。另外,在实施例中,变压器530的绕组的大部分在第一金属层(诸如铜金属层)中实现,并且绕组中的交叉581和582在第二金属层(诸如作为铝层(AP)的最上部金属层)中实现,第二金属层通过通孔连接与第一金属层连接。通孔连接向绕组添加电阻。当绕组中的交叉的数目减少时,通孔连接的数目减少,因此绕组的电阻减小。另外,在示例中,使用较宽的AP金属线以进一步减小电阻。绕组中的电阻的减小改善了变压器530的Q因子。
[0045]另外,根据本公开的一方面,变压器530中的螺旋电感器是单端电感器,因此变压器530的寄生电容减小。在示例中,由于寄生电容减小,变压器530实现了更高的自谐振频率。
[0046]图6示出了根据本公开的实施例的另一变压器630的示图。变压器630包括具有第一线圈部分640和第二线圈部分650的第一绕组以及具有第三线圈部分660和第四线圈部分670的第二绕组。第一线圈部分640包括形成第一螺旋电感器的线圈匝,第二线圈部分650包括形成第二螺旋电感器的线圈匝。第一线圈部分640和第二线圈部分650以形成似数字8形状的扭转布置串联连接。第三线圈部分660包括形成第三螺旋电感器的线圈匝,第四线圈部分670包括形成第四螺旋电感器的线圈匝。第三线圈部分660和第四线圈部分670以形成似数字8形状的扭转布置串联连接。
[0047]在图6的不例中,变压器630的绕组具有两个交叉681和682,这简化了布局的复杂性,并且因此变压器630可以使用相对较小的硅面积来实现。另外,在图6的实施例中,变压器630的第一绕组的大部分在第一金属层(诸如第一铜金属层)中实现,变压器630的第二绕组的大部分在第二金属层(诸如第二铜金属层)中实现。第一绕组中的交叉681在第三金属层(诸如作为铝层(AP)的最上部金属层)中实现,第三金属层通过通孔连接693和694与第一金属层连接。在图6的示例中,第二绕组中的交叉682也在通过通孔连接691和692与第二金属层连接的第三金属层中实现。
[0048]在示例中,第一绕组和第二绕组的大部分堆叠在硅衬底上,并在这两个金属层之间存在一个或多个介电层。在示例中,第一绕组和第二绕组的图案交叠以节省硅面积。应当注意,第一金属层和第二金属层可以具有相同或者不同的表面电阻。
[0049]变压器630具有相对较少数目的绕组中的交叉,因此绕组的电阻减小。另外,在示例中,使用较宽的AP金属线以进一步减小电阻。绕组中的电阻的减小改善了变压器630的Q因子。
[0050]另外,根据本公开的一方面,变压器630中的螺旋电感器是单端电感器,因此变压器630的寄生电容减小。在示例中,由于寄生电容减小,变压器630实现了更高的自谐振频率。
[0051]虽然已经结合被提出作为示例的具体实施例描述了本公开的各个方面,然而可以对这些示例做出替选、修改和变化。因此,本文中给出的实施例旨在说明而非限制。可以在不偏离下面给出的权利要求的范围的情况下做出多种变化。

1.一种设备,包括: 第一电感器,包括: 第一线圈部分,具有定义第一封闭区域的多于一个匝;以及 第二线圈部分,具有定义第二封闭区域的多于一个匝; 其中所述第一线圈部分和所述第二线圈部分被布置成生成具有基本上相等的强度和相反的方向的磁场。2.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一线圈部分和所述第二线圈部分以形成数字8形状的扭转布置串联连接。3.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一线圈部分形成第一差动电感器并且所述第二线圈部分形成第二差动电感器。4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一线圈部分形成单端螺旋电感器并且所述第二线圈部分形成第二单端螺旋电感器。5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电感器还包括: 第三线圈部分,具有定义第三封闭区域的多于一个匝;和 第四线圈部分,具有定义第四封闭区域的多于一个匝;并且 其中所述第一线圈部分和所述第二线圈部分在第一方向上以形成第一数字8形状的扭转布置串联连接,所述第二线圈部分和所述第三线圈部分在第二方向上以形成第二数字8形状的扭转布置串联连接,所述第三线圈部分和所述第四线圈部分在所述第一方向上以形成第三数字8形状的扭转布置串联连接,并且所述第四线圈部分和所述第一线圈部分在所述第二方向上以形成第四数字8形状的扭转布置串联连接。6.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电感器具有从所述第一封闭区域到所述第二封闭区域连接所述第一线圈部分和所述第二线圈部分的单个导线。7.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一电感器形成变压器中的第一绕组,所述设备还包括: 第二电感器,包括: 第三线圈部分,在所述第一封闭区域中与所述第一线圈部分并联;以及第四线圈部分,在所述第二封闭区域中与所述第二线圈部分并联,所述第二电感器形成所述变压器中的第二绕组。8.根据权利要求7所述的设备,其中所述第一线圈部分、所述第二线圈部分、所述第三线圈部分和所述第四线圈部分中的大部分形成在集成电路芯片的金属层中。9.根据权利要求7所述的设备,其中所述第一线圈部分和所述第二线圈部分中的大部分形成在集成电路芯片的第一金属层中并且所述第三线圈部分和所述第四线圈部分中的大部分形成在所述集成电路芯片的第二金属层中。10.—种集成电路芯片,包括: 形成在所述集成电路芯片的衬底上的第一电感器,所述第一电感器包括: 第一线圈部分,具有定义第一封闭区域的多于一个匝;以及 第二线圈部分,具有定义第二封闭区域的多于一个匝; 其中所述第一线圈部分和所述第二线圈部分被布置成生成具有基本上相等的强度和相反的方向的磁场。11.根据权利要求10所述的集成电路芯片,其中所述第一线圈部分和所述第二线圈部分以形成数字8形状的扭转布置串联连接。12.根据权利要求10所述的集成电路芯片,其中所述第一线圈部分形成第一差动电感器并且所述第二线圈部分形成第二差动电感器。13.根据权利要求10所述的集成电路芯片,其中所述第一线圈部分形成单端螺旋电感器并且所述第二线圈部分形成第二单端螺旋电感器。14.根据权利要求10所述的集成电路芯片,其中所述第一电感器还包括: 第三线圈部分,具有定义第三封闭区域的多于一个匝;和 第四线圈部分,具有定义第四封闭区域的多于一个匝;并且 其中所述第一线圈部分和所述第二线圈部分在第一方向上以形成第一数字8形状的扭转布置串联连接,所述第二线圈部分和所述第三线圈部分在第二方向上以形成第二数字8形状的扭转布置串联连接,所述第三线圈部分和所述第四线圈部分在所述第一方向上以形成第三数字8形状的扭转布置串联连接,并且所述第四线圈部分和所述第一线圈部分在所述第二方向上以形成第四数字8形状的扭转布置串联连接。15.根据权利要求10所述的集成电路芯片,其中所述第一电感器从所述第一封闭区域到所述第二封闭区域具有连接所述第一线圈部分和所述第二线圈部分的单个导线。16.根据权利要求10所述的集成电路芯片,其中所述第一电感器形成变压器中的第一绕组,所述集成电路芯片还包括: 第二电感器,包括: 第三线圈部分,在所述第一封闭区域中与所述第一线圈部分并联;以及 第四线圈部分,在所述第二封闭区域中与所述第二线圈部分并联,所述第二电感器形成所述变压器中的第二绕组。17.根据权利要求16所述的集成电路芯片,其中所述第一线圈部分、所述第二线圈部分、所述第三线圈部分和所述第四线圈部分中的大部分形成在所述集成电路芯片的金属层中。18.根据权利要求16所述的集成电路芯片,其中所述第一线圈部分和所述第二线圈部分中的大部分形成在所述集成电路芯片的第一金属层中,并且所述第三线圈部分和所述第四线圈部分中的大部分形成在所述集成电路芯片的第二金属层中。19.一种方法,包括: 在衬底上形成电感器的第一线圈部分,所述第一线圈部分具有定义第一封闭区域的多于一个阻; 在所述衬底上形成所述电感器的第二线圈部分,所述第二线圈部分具有定义第二封闭区域的多于一个匝;以及 以形成数字8形状的扭转布置连接所述第一线圈部分和所述第二线圈部分。20.根据权利要求19所述的方法,其中以形成所述数字8形状的所述扭转布置连接所述第一线圈部分和所述第二线圈部分还包括: 使用从所述第一封闭区域到所述第二封闭区域的单个导线连接所述第一线圈部分和所述第二线圈部分。
H01F17/00GK106030730SQ201580010286
2016年10月12日
2015年1月16日
颜文, 韩洪征, 刘钊, 熊振华, 吕远
马维尔国际贸易有限公司

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