推荐隔离器/环形器的镀层结构的制作方法

如下提供的推荐隔离器/环形器的镀层结构的制作方法,下面小编就来详细介绍一下

隔离器/环形器的镀层结构的制作方法

[0001]本实用新型涉及一种微波铁氧体器件,尤其一种隔离器/环形器的镀层结构。

[0002]微波铁氧体器件(如:隔离器、环行器)在微波电路中起到环行、隔离、调幅等作用,主要用于军事雷达系统、通信领域。特别是21世纪是通信网络时代,随着网络的不断升级,近几年3G、4G基站大规模建设,环行器、隔离器由过去年产量几万只到现在的年产量上千万只,对企业的规模化生产、产品性能的一致性带来了挑战。现有技术中的环形器包括壳体、中心导体、铁氧体、磁体及盖板,盖板与壳体固定形成空腔,磁体、铁氧体及中心导体设置于空腔中,上述的中心导体上设置有直线引脚,而壳体上对应直线引脚的位置设置引线端口。上述的结构中,一方面,磁体上缺少保护层,在生产运输及长时间工作时磁体边缘破损及氧化后影响可靠性及使用寿命,另一方面,整个器件的插入损耗大。有鉴于此,有必要对上述的隔离器/环形器作进一步的改进。

[0003]本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种结构简单,提高磁体的可靠性,降低插入损耗的隔离器/环形器的镀层结构。
[0004]为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:提供一种隔离器/环形器的镀层结构,包括壳体、盖体、中心导体、磁体以及铁氧体,所述壳体与盖体形成容置腔,所述磁体、铁氧体以及中心导体层叠设置并固定于容置腔中,所述壳体侧壁开设有缺口,所述中心导体上设置有引脚并且所述引脚从缺口伸出,所述铁氧体及磁体均为圆柱形,所述铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层,所述金属镀层完全覆盖铁氧体及磁体的外表面。
[0005]其中,所述金属镀层为由银、镍、锌及铜中任意一种形成的电镀银层、电镀镍层、电镀锌层以及电镀铜层。
[0006]其中,所述电镀银层、电镀镍层、电镀锌层中任一种的厚度均为0.5-2um。
[0007]其中,所述电镀铜层的厚度为3_4um。
[0008]其中,所述缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层,所述RTV硅胶层封闭容置腔体,并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上。
[0009]其中,所述铁氧体包括上层铁氧体及下层铁氧体,所述上层铁氧体及下层铁氧体分别紧贴于中心导体的上表面及下表面上。
[0010]其中,所述磁体包括上层磁体以及下层磁体,所述上层磁体及下层磁体分别紧贴于上层铁氧体及下层铁氧体上。
[0011]本实用新型的有益效果在于:区别于现有技术中的隔离器/环形器的磁体上缺少保护层,在生产运输及长时间工作时磁体边缘破损及氧化后影响可靠性及使用寿命以及整个器件的插入损耗大的问题,本实用新型提供了一种隔离器/环形器的镀层结构,采用在在铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层,能够有效地保护铁氧体及磁体,减少插入损耗,提高整体器件的电气性能。

[0012]图1为本实用新型隔离器/环形器的分解结构示意图;
[0013]图2为本实用新型铁氧体及磁体的镀层结构图;
[0014]图3为本实用新型隔离器/环形器的封装结构示意图。
[0015]标号说明:
[0016]1、盖体;2、壳体;3、RTV硅胶层;4、中心导体;
[0017]41、引脚;51、上层铁氧体;52、下层铁氧体;21、缺口 ;
[0018]61、上层磁体;62、下层磁体;7、金属镀层。

[0019]为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0020]本实用新型最关键的构思在于:本方案采用在在铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层,能够有效地保护铁氧体及磁体,减少插入损耗,提高整体器件的电气性能。
[0021]请参照图1至图3,一种隔离器/环形器的镀层结构,包括壳体2、盖体1、中心导体4、磁体以及铁氧体,所述壳体2与盖体I形成容置腔,所述磁体、铁氧体以及中心导体4层叠设置并固定于容置腔中,所述壳体2侧壁开设有缺口 21,所述中心导体4上设置有引脚41并且所述引脚41从缺口 21伸出,所述铁氧体及磁体均为圆柱形,所述铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层7,所述金属镀层7完全覆盖铁氧体及磁体的外表面。
[0022]从上述描述可知,本实用新型的有益效果在于:区别于现有技术中的隔离器/环形器的磁体上缺少保护层,在生产运输及长时间工作时磁体边缘破损及氧化后影响可靠性及使用寿命以及整个器件的插入损耗大的问题,本实用新型提供了一种隔离器/环形器的镀层结构,采用在在铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层,能够有效地保护铁氧体及磁体,减少插入损耗,提高整体器件的电气性能。
[0023]作为一实施例,所述金属镀层为由银、镍、锌及铜中任意一种形成的电镀银层、电镀镍层、电镀锌层以及电镀铜层。上述的四种金属为常用的性能较佳的镀层金属,除上述四个金属外还可以是其它金属或者合金材料。
[0024]作为一实施例,所述电镀银层、电镀镍层、电镀锌层中任一种的厚度均为0.5-2um。应该指出,0.5-2um为电镀银层、电镀镍层及电镀锌层中优选的方案,应该指出,厚度小于
0.5um或者厚度大于2um也均是可行方案,均在本方案的保护范围内。
[0025]作为一实施例,所述电镀铜层的厚度为3-4um。应该指出,3_4um为电镀铜层中优选的方案,应该指出,厚度小于3um或者厚度大于3um也均是可行方案,均在本方案的保护范围内。
[0026]作为一实施例,所述缺口 21处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层3,所述RTV硅胶层3封闭容置腔体,并且固定在对应缺口 21位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体4上的侧壁上。高RTV胶密封容置腔体,能够提高隔离器/环形器的电气性能。
[0027]作为一实施例,所述铁氧体包括上层铁氧体51及下层铁氧体52,所述上层铁氧体51及下层铁氧体52分别紧贴于中心导体4的上表面及下表面上。铁氧体的结构还可以中间开设容置槽的整体结构中心导体4可以直接放置于容置槽中。
[0028]作为一实施例,所述磁体包括上层磁体61以及下层磁体62,所述上层磁体61及下层磁体62分别紧贴于上层铁氧体51及下层铁氧体52上。磁体的结构还可以中间开设容置部的整体结构,该容置部的大小与铁氧体及中心导体4的厚度相适应。
[0029]综上所述,本实用新型提供的一种隔离器/环形器的镀层结构,采用在在铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层,能够有效地保护铁氧体及磁体,减少插入损耗,提高整体器件的电气性能;另外,所述缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层,所述硅胶层封闭容置腔体,能够防止外部环境中的潮湿空气及粉尘进入容置腔体中,影响磁体、铁氧体以及中心导体的工作性,通过镀层结构以及密封结构,能够进一步提高器件的整体电性能。
[0030]以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

1.一种隔离器/环形器的镀层结构,包括壳体、盖体、中心导体、磁体以及铁氧体,所述壳体与盖体形成容置腔,所述磁体、铁氧体以及中心导体层叠设置并固定于容置腔中,所述壳体侧壁开设有缺口,所述中心导体上设置有引脚并且所述引脚从缺口伸出,其特征在于,所述铁氧体及磁体均为圆柱形,所述铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层,所述金属镀层完全覆盖铁氧体及磁体的外表面。
2.根据权利要求1所述的隔离器/环形器的镀层结构,其特征在于,所述金属镀层为由银、镍、锌及铜中任意一种形成的电镀银层、电镀镍层、电镀锌层以及电镀铜层。
3.根据权利要求2所述的隔离器/环形器的镀层结构,其特征在于,所述电镀银层、电镀镍层、电镀锌层中任一种的厚度均为0.5-2um。
4.根据权利要求2所述的隔离器/环形器的镀层结构,其特征在于,所述电镀铜层的厚度为3_4um。
5.根据权利要求1所述的隔离器/环形器的镀层结构,其特征在于,所述缺口处注射有RTV硅胶形成RTV硅胶层,所述RTV硅胶层封闭容置腔体,并且固定在对应缺口位置的部分磁体、铁氧体以及中心导体上的侧壁上。
6.根据权利要求1-5任一项所述的隔离器/环形器的镀层结构,其特征在于,所述铁氧体包括上层铁氧体及下层铁氧体,所述上层铁氧体及下层铁氧体分别紧贴于中心导体的上表面及下表面上。
7.根据权利要求6所述的隔离器/环形器的镀层结构,其特征在于,所述磁体包括上层磁体以及下层磁体,所述上层磁体及下层磁体分别紧贴于上层铁氧体及下层铁氧体上。
本实用新型公开了一种隔离器/环形器的镀层结构,包括壳体、盖体、中心导体、磁体以及铁氧体,所述壳体与盖体形成容置腔,所述磁体、铁氧体以及中心导体层叠设置并固定于容置腔中,所述壳体侧壁开设有缺口,所述中心导体上设置有引脚并且所述引脚从缺口伸出,所述铁氧体及磁体均为圆柱形,所述铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层,所述金属镀层完全覆盖铁氧体及磁体的外表面。本实用新型通过在铁氧体及磁体的侧壁面、上端面以及下端面分别镀有金属镀层,能够有效地保护铁氧体及磁体,减少插入损耗,提高整体器件的电气性能。
H01P1-383, H01P1-36
CN204361236
CN201520021843
张伟, 黄帝坤
深圳华扬通信股份有限公司
2015年5月27日
2015年1月13日

推荐隔离器/环形器的镀层结构的制作方法的相关内容如下: